胡伟达获中国科学院卢嘉锡青年人才奖

经单位推荐、专家评审和王宽诚教育基金会审定，50位青年学者获“中国科学院卢嘉锡青年人才奖”，上海技物所胡伟达获此殊荣。

胡伟达同志在新型GaN基高速电子场效应晶体管研究方面，建立了非线性异质结极化计算模型，揭示了电荷分布、工艺条件、器件尺寸参数对二维电子气在单、双量子阱中能级分布的影响规律以及其相互作用机理；提出了“热电子俘获”和“表面俘获诱导虚栅”模型，澄清了热电子俘获与离化以及表面态俘获栅极隧穿载流子的物理起源，为降低电流坍塌效应和设计高性能高速电子场效应晶体管提供了指导；在新一代单光子探测器领域，建立了AlGaN/GaN雪崩二极管设计方法，揭示了单光子探测器的在雪崩预击穿处出现的较大暗电流的物理起源。申请专利共12项，共发表论文51篇。其中，发表SCI论文32篇，第一作者SCI论文12篇、通讯作者SCI论文4篇。2008年获 “第五届中国科协期刊优秀学术论文奖”。