近日，通过专家组的评审，我所硅器件室申请的上海市科委国际科技合作项目<<深亚微米CMOS场效应管在深低温和超深低温下的电传导特性研究与物理建模研究>>获得批准(合同编号09530708500)。这是我所第一次从上海市科委获得此类项目支持。

　　项目由我所硅器件室与法国斯特拉斯堡大学微电子传感器与集成电路设计研究中心合作，法国斯特拉斯堡大学微电子传感器与集成电路设计研究中心是国际微电子领域享有较高声誉的研究中心，此前在开展上海市白玉兰基金项目时双方曾有过合作，此次再度合作有利于集成电路设计的深入研发。

　　本项目的研究对提高我所的电路设计水平，进一步研发航天应用的特种CMOS电路，增强我所承担国家重大项目的能力，促进室、所的科技进步及院地合作、国内外合作与交流具有重要意义。