姓 名：郭慧君
性 别：男
籍 贯：江西省吉安市
出生年月：1990年1月
毕业院校：中国科学院大学
学历学位：研究生/博士
技术职务：副研究员
导师类别：硕导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心
联系电话：15902170461
电子邮箱：guohuijun@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2019.11至今 中国科学院上海技术物理研究所。
2017.07～2019.11 中国科学院上海技术物理研究所 博士后。
三、科研工作简介
2018年3月入选上海市青年科技英才扬帆计划。目前主要从事碲镉汞红外探测器的器件物理、设计、制备和表征研究。研究经历主要包括作为研究骨干参与碲镉汞雪崩探测器光电子预研项目和中国科学院重点部署项目的研究，主持了上海市扬帆计划项目一项、国家自然科学基金青年基金项目一项和XX重大基础研究项目课题一项。近年来研究方向为碲镉汞材料相关的雪崩探测器、高工作温度探测器、偏振探测器、感存算类脑芯片以及人工微结构与碲镉汞探测器集成等，发表论文30余篇，第一作者和通讯作者发表论文9篇。正在培养硕士生1名。
四、代表性论文专利
1. Huijun Guo, Yushun Cheng, Lu Chen*, Chun Lin, Hao Li, Honglei Chen, Ruijun Ding, Li He. The Performance of Mid-Wave Infrared HgCdTe e-Avalanche Photodiodes at SITP [J]. Proceedings of SPIE, 2019, 11170: 111702M-1-111702M-8.
2. Huijun Guo, Lu Chen*, Liao Yang, Dan Yang, Chuan Shen, Quanzhi Sun, Honglei Chen, Chun Lin, Ruijun Ding, Li He. The Latest Developments of HgCdTe e-APDs at SITP [J]. Proceedings of SPIE, 24th National Laser Conference & Fifteenth National Conference on Laser Technology and Optoelectronics, 2020, Vol.11717: 1171736-(1-9).
3. Cheng Yushun, Chen Lu, Guo Huijun*, Lin Chun, He Li. Improved local field model for HgCdTe electron avalanche photodiode [J]. Infrared Physics & Technology, 2019, 101: 156-161.
4. Fang Wang, Fuxing Dai, Yantao Li, Huijun Guo*. Distinct junction transformations of pixel-arrayed long-wavelength infrared detectors by photocurrent mapping [J]. Infrared Physics & Technology, 2022, 125: 104309-(1-5).
5. Huijun Guo*, Liao Yang, Chuan Shen, Hao Xie, Dan Yang, Liqi Zhu, Quanzhi Sun, Chun Lin, Lu Chen*, Ruijun Ding, Li He. Developments and Characterization of HgCdTe e-APDs at SITP [J]. Proceedings of SPIE, 2023, 12505: 125050C-1-125050C-12.
6. 郭慧君, 陈路*, 杨辽, 沈川, 谢浩, 林春, 丁瑞军, 何力. 碲镉汞光子计数型线性雪崩探测器（特邀）[J]. 红外与激光工程, 2023, 52(3): 20230036–(1-15).
7. 程雨顺, 郭慧君, 李浩, 陈路*, 林春，何力. 碲镉汞APD平面型PIN结构仿真设计研究 [J]. 红外与毫米波学报, 2020, 39(1): 6-12.
8. Liqi Zhu, Huijun Guo, Zhuo Deng, Liao Yang, Jian Huang, Dan Yang, Zhiqi Zhou, Chuan Shen, Lu Chen, Chun Lin, and Baile Chen*. Temperature-dependent Characteristics of HgCdTe Mid-wave Infrared e-Avalanche Photodiode [J]. IEEE Journal of selected topics in quantum electronics, 2022, 28(2): 3802709.
9. Han Xuepeng, Guo Huijun, Yang Liao*，Zhu Liqi, Yang Dan, Xie Hao, Wang Fang, Chen Lu, Chen Baile, He Li*. Dark current and noise analysis for long-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes [J]. Infrared Physics & Technology, 2022, 123: 104108.
10. Dan Yang, Huijun Guo, Liqi Zhu, Liao Yang, Lu Chen, Chun Lin*, Ruijun Ding*, Li He. Area-dependent gain and noise characteristics of mid-wavelength infrared HgCdTe planar electron avalanche photodiodes, Materials Research Express, 2022, 9: 085902-(1-7).
11. Liao Yang, Huijun Guo, Chuan Shen, Hao Xie, Dan Yang, Liqi Zhu, Fang Wang, Quanzhi Sun, Lu Chen*, Chun Lin, Li He. Modeling and characteristics of MWIR HgCdTe APD at different post-annealing processes [J]. Infrared Physics & Technology, 2022 , 127: 104413.
12. Hao Xie, Huijun Guo, Liqi Zhu, Liao Yang, Chuan Shen, Baile Chen, Lu Chen*, Li He. Research on high gain-bandwidth product mid-wavelength infrared HgCdTe avalanche photodiodes [J]. Proceedings of SPIE, 2023, 12505: 125050R-(1-6).
13. Liqi Zhu, Huijun Guo, Zhiqi Zhou, Zhiyang Xie, Hao Xie, Lu Chen, Chun Lin*, Baile Chen*. Bandwidth characterization and optimization of high-performance mid-wavelength infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes. Infrared Physics & Technology, 2023, 131: 104682.
14. Dan Yang, Huijun Guo, Liao Yang, Lu Chen, Chun Lin*, Ruijun Ding, Li He. Characterization of gain and excess noise for mid-wavelength infrared HgCdTe electron avalanche photodiodes [J]. Proceedings of SPIE, 2023, 12505: 125050E-(1-7).
五、培养学生情况
截止今年7月，在读博士生0人，在读硕士生1人。
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研究生教育
