王鹏 副研究员

　　一、基本信息 

　　姓    名：王鹏                     

　　性    别：男                            

　　籍    贯：山东济宁                   

　　出生年月：1989年7月                       

　　毕业院校：安徽大学  

　　学历学位：研究生/博士                      

　　技术职务：副研究员                  

　　导师类别：博导                    

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 物理室  

　　联系电话：021-25051430                   

　　电子邮箱：w_peng@mail.sitp.ac.cn                              

　　    

　　二、工作简历  

　　2018.07至今  中国科学院上海技术物理研究所。  

　　    

　　三、学术兼职  

　　全国专业标准化技术委员会委员  

　　中国物理学会应用物理前沿推介委员会委员  

　　Chinese Physics Letters、Chinese Physics B、物理学报和物理四刊联合青年编委  

　　中国光学工程学会&Chinese Optics Letters青年编委  

　　Sensors编委及特刊编辑  

　　《红外与激光工程》特刊编辑  

　　中国科学院青促会信管分会委员，中国科学院青促会上海技物所组长  

　　    

　　四、科研工作简介  

　　主要从事红外探测机理、器件与应用研究，研究方向包括：  

　　1）面向红外天文观测的非本征跃迁甚长波红外探测器；  

　　2）面向主被动探测的高增益高速APD探测器；  

　　3）面向多维信息获取的混维异质集成红外探测机理与器件；  

　　4）先进红外光电表征方法与系统。  

　　主持国家基金委优秀青年基金/青年基金、中国科学院青促会、中国科协青托工程、JKW主题项目/重点领域基金、ZF基础预研等国家/省部级项目10余项。以第一、通讯作者在Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials、Light: Science&Applications、IEEE Transactions on Electron Devices等期刊发表SCI论文30余篇，h因子44（谷歌学术）。  

　　担任国内外会议分会主席、专题程序委员。荣获国际会议“Young Scientist Award” “Best Oral Award” “Best Poster Award”等荣誉。目前有在读博士生1名（二导）。  

　　    

　　五、主要获奖成果  

　　上海市自然科学一等奖（2023年）  

　　    

　　六、代表性论文专利  

　　1. Van der Waals Two-color Infrared Photodetector, Light: Science & Applications, 11, 6 (2022). 通讯作者  

　　2. Blackbody sensitive room-temperature infrared photodetectors based on low-dimensional tellurium grown by chemical vapor deposition, Science Advances, 7 (16), eabf7358 (2021). 通讯作者  

　　3. Broadband Bi₂O₂Se Photodetectors from Infrared to Terahertz, Advanced Functional Materials, 31 (14), 2009554 (2021). 通讯作者  

　　4. Design of a bandgap-engineered barrier-blocking HOT HgCdTe long-wavelength infrared avalanche photodiode, Optics Express, 28(22): 33556-33563 (2020). 通讯作者  

　　5. Stable mid-infrared polarization imaging based on quasi-2D tellurium at room temperature, Nature Communications, 11, 2308 (2020). 第一作者  

　　6. Enhanced Performance of HgCdTe Midwavelength Infrared Electron Avalanche Photodetectors With Guard Ring Designs, IEEE Transactions on Electron Devices, 67(2), 542-546 (2020). 通讯作者  

　　7. A Noble Metal Dichalcogenide for High‐Performance Field‐Effect Transistors and Broadband Photodetectors, Advanced Functional Materials, 30(5):1907945 (2019). 第一作者  

　　8. High efficiency and fast van der Waals hetero-photodiodes with a unilateral depletion region, Nature Communications, 10, 4663 (2019). 通讯作者  

　　9. Sensing Infrared Photons at Room Temperature: From Bulk Materials to Atomic Layers, Small, 15(46): 1904396 (2019). 第一作者  

　　10. Arrayed Van Der Waals Broadband Detectors for Dual‐Band Detection, Advanced Materials, 29, 1604439 (2017). 第一作者  

　　       

　　七、培养学生情况 

　　截止2023年7月，在读博士生1人，在读硕士生0人。