刘福浩 副研究员

一、基本信息

姓    名：刘福浩                  

性    别：男                         

籍    贯：山东省临清市                

出生年月：1987年1月                  

毕业院校：中国科学院大学                                                    

学历学位：研究生/博士                    

技术职务：副研究员                 

导师类别：硕导                 

工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 红外器件室                 

电子邮箱：fhliu@mail.sitp.ac.cn                           

二、工作简历

2015年9月至今，中国科学院上海技术物理研究所。

2013.7～2015.9，中国空间技术研究院。

三、科研工作简介

聚焦第三代半导体III族氮化物光电器件，开展材料物性分析，器件物理仿真，工艺路线实现，测试表征分析。基于电子束诱导电流（EBIC）技术，成功设计并建设了宽禁带半导体材料的碰撞离化系数测试系统，解决了AlN材料无法进行背照射导致的碰撞离化系数测试难题，在业内首次获得了AlN材料的碰撞离化系数。成功研制了基于子带跃迁的GaN/AlGaN红外/紫外双色器件，在30K可以测到明显的红外信号。