马英杰 副研究员

　　一、基本信息 

　　姓    名：马英杰                    

　　性    别：男                           

　　籍    贯：安徽                 

　　出生年月：1988年8月                      

　　毕业院校：复旦大学                                                     

　　学历学位：研究生/博士                     

　　技术职务：副研究员                 

　　导师类别：硕导                   

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 组件室 

　　联系电话：021-25051448                  

　　电子邮箱：mayingjie@mail.sitp.ac.cn                             　　  

　　二、工作简历 

　　2018.09至今，中国科学院上海技术物理研究所。 

　　2014.07～2018.08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 

　　（其中：2016.07～2018.03,美国加州大学洛杉矶分校访问学者） 　　  

　　三、学术兼职 

　　Electronics专题编辑 

　　Opt.Express，Appl.Opt.等国际期刊审稿人 

　　第20届国际分子束外延大会组委会委员等 　　  

　　四、科研工作简介 

　　主要研究方向为：短波红外探测器材料与器件物理研究、新原理器件研究、焦平面探测器组件集成研究、单光子雪崩探测器研究等。主持国家自然科学基金面上项目、国家某部委重大基础研究课题、上海市自然科学基金等项目或课题。参与承担国家重点研发计划、上海市重大基础研究、民口973等项目。在Advanced Optical Materials、Optics Express、IEEE Journal of Selected Topics on Quantum Electronics等期刊上发表SCI论文90篇，其中第一作者论文23篇，通讯作者4篇，引用超500次，H因子13。申请发明专利18件，已授权10件，3件已实现成果转化。出版《半导体光谱测试方法与技术》和《硅锗低维材料可控生长》专著2部。 　　  

　　五、主要获奖成果 

　　上海技术发明奖三等奖1项  （ 2-3微米波段InP基无锑量子阱激光器材料、器件及应用,2015年） 　　  

　　六、代表性论文专利 

　　1. Dislocation Evolvement in Metamorphic In0.83Ga0.17As/InP Photodetectors Through Ex-Situ Rapid Thermal Annealing, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2022,通讯作者 

　　2. Noise behaviors of SWIR InxGa1-xAs/InP focal plane arrays as a function of lattice-mismatch degree, Infrared Physics & Technology, 2022, 通讯作者 

　　3. High Temperature Behaviors of 1–2.5 μm Extended Wavelength In0.83Ga0.17As Photodetectors on InP Substrate, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2021,通讯作者 

　　4. 320×256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise, IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2021,第1作者 

　　5. Surface Leakage Behaviors of 2.6 μm In0.83Ga0.17As Photodetectors as a Function of Mesa Etching Depth, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2020,通讯作者 

　　6. Towards Surface Leakage Free High Fill-Factor Extended Wavelength InGaAs Focal-Plane Arrays, IEEE Journal of Quantum Electronics, 2019,第1作者 

　　7. Electron-initiated low noise 1064 nm InGaAsP/InAlAs avalanche photodetectors, Optics Express, 2018,第1作者 

　　8. Enhanced Carrier Multiplication in InAs Quantum Dots for Bulk Avalanche Photodetector Applications, Advanced Optical Materials, 2017,第1作者 

　　9. 一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层生长方法, 发明, 2018,第1作者,专利号: 201611153882.0 

　　10. 一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构,发明,2017,第1作者,专利号: ZL201510947270.8 

　　12. 一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器,发明,2017,第1作者,专利号: ZL201610847176.X 

　　13. 一种波长扩展型InGaAs雪崩光电二极管的外延结构,发明,2017,第 1 作者,专利号: ZL201410729324.9 

　　14. 一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法,发明,2017,第4作者,专利号: ZL201510952593.6 

　　15. 一种宽谱InGaAs雪崩焦平面探测器及其制造方法,发明,2019,第1作者,专利号: 201910246107.7 

　　16. 一种InGaAs雪崩焦平面探测器的串扰抑制结构,发明,2019,第1作者,专利号: 201910246111.3 

　　17. 一种高均匀性单光子面光源的产生装置,发明,2019,第1作者,专利号: 201911125208.5 

　　18. 硅锗低维材料可控生长，科学出版社（北京），2021-03，第1署名作者 

　　19. 半导体光谱测试方法与技术, 科学出版社（北京）,2016-01,第3署名作者 　　  

　　七、培养学生情况 

　　截止2022年7月，在读硕士生1人，已毕业博士生1人、硕士生1人（含作为二导）。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。