一、基本信息
姓 名：顾溢
性 别：男
籍 贯：江苏
出生年月：1982年12月
毕业院校：中国科学院研究生院
学历学位：研究生/博士
技术职务：研究员
导师类别：博导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 组件室
电子邮箱：guyi@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2018.09至今，中国科学院上海技术物理研究所。
2009.06至2018.09, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所。
2015.09至2016.02, 英国谢菲尔德大学，访问学者。
2012.02至2012.04, 瑞典查尔姆斯理工大学，访问学者。
三、学术兼职
IEEE高级会员
Journal of Crystal Growth客座编辑
四、科研工作简介
主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件，包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等，在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。主持和参与了多项科技部、基金委、中科院及上海市项目的研究。发表英文专著篇章6篇，发表SCI论文百余篇（其中第一作者或通讯作者55篇），获授权国家发明专利32项，参与撰写《半导体科学与技术丛书——半导体光谱测试方法与技术》一书。是中科院青年创新促进会会员、上海市青年科技启明星、上海市青年拔尖人才、长宁区青年岗位能手。
五、主要获奖成果
上海市科技进步二等奖（第二完成人，2012年）
上海市技术发明三等奖（第一完成人，2015年）
六、代表性论文专利
1. H. Z. Wang, Y. Gu*, C. L. Yu, S. L. Zhu, Y. C. Zhu, P. P. Chen, J. S. Cao, B. Yang, T. Li, X. M. Shao, X. Li, H. G. Gong*, “Direct correlation of defects and dark currents of InGaAs/InP photodetectors”, Materials Science in Semiconductor Processing, 123(1), 105540 (2021)
2. H. Z. Wang, Y. C. Zhu,Y. Gu,*, P. P. Chen, W. Wang, X. R. Chen,B. Yang, T. Li, X. Mei Shao, X. Li, H. M. Gong*,“High electron mobility InP grown by solid source molecular beam epitaxy”, Materials Science in Semiconductor Processing, 112, 105012 (2020)
3. Y. Gu*, W. G. Huang, Y. G. Liu, Y. J. Ma, J. Zhang, Q. Gong, Y. G. Zhang, X. M. Shao, X. Li, H. M. Gong*, “Effects of buffer doping on the strain relaxation of metamorphic InGaAs photodetector structures”, Materials Science in Semiconductor Processing, 120, 105281(2020)
4. W. G. Huang, Y. Gu*, X. Y. Chen, J. Zhang, Q. Gong, H. Huang, Y. J. Ma, Y. G. Zhang, “Mid-infrared type-I InAs/In0.83Al0.17As quantum wells grown on GaP and InP by gas source molecular beam epitaxy“, J. Cryst. Growth 512, 61-64 (2019)
5. W. Y. Ji, Y. Gu*, J. Zhang, Y. J. Ma, X. Y. Chen, Q. Gong, W. G. Huang, Y. H. Shi, G. X. He, H. Huang and Y. G. Zhang, “3 μmInAs quantum well lasers at room temperature on InP”, Appl. Phys. Lett., 113, 232103 (2018)
七、培养学生情况
截止2021年7月，在读博士生1人，已毕业博士生8人、硕士生2人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。
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研究生教育
