顾溢  研究员

一、基本信息

姓    名：顾溢                  

性    别：男                         

籍    贯：江苏                

出生年月：1982年12月                    

毕业院校：中国科学院研究生院                                                    

学历学位：研究生/博士                   

技术职务：研究员   

导师类别：博导                 

工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 组件室

联系方式：13816941619

电子邮箱：guyi@mail.sitp.ac.cn                       

二、工作简历

2018.09至今，中国科学院上海技术物理研究所，研究员

2015.09至2016.02, 英国谢菲尔德大学，访问学者

2012.02至2012.04, 瑞典查尔姆斯理工大学，访问学者

2009.06至2018.09, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，历任助理研究员、副研究员、研究员

三、学术兼职

Electronics编辑

Frontiers of Materials客座编辑

Journal of Crystal Growth客座编辑

Journal of Semiconductors编委

上海市有色金属学会第八届半导体材料专业委员会委员

全国分子束外延学术会议程序委员会委员和组委会副主任

四、科研工作简介

长期从事III-V族化合物半导体光电材料、器件和应用研究。主要研究方向包括：1）化合物半导体材料分子束外延技术；2）半导体材料应变调控与材料物理；3）新结构与新功能短波红外半导体探测器。

主持和参与了多项科技部、基金委、中国科学院及上海市项目的研究。发表英文专著篇章7篇，参与撰写《半导体科学与技术丛书——半导体光谱测试方法与技术》，发表SCI论文150余篇（其中通讯或第一作者60篇），获授权国家发明专利36项。

五、主要获奖成果

上海市科技进步二等奖（第二完成人，2012年）

上海市技术发明三等奖（第一完成人，2015年）

六、代表性论文专利

1. Z. J. Jiao, T. Y. Guo, Y. Gu*, B. W. Liu, F. H. Chu, Y. J. Ma, X. M. Shao, X. Li*, Recombination lifetimes and mechanisms of In_0.75Ga_0.25As and In_0.53Ga_0.47As as a function of doping density, Infrared Phys. Technol. 141, 105462 (2024)

2. J. J. Lin, J. L. Sun, S. J. Wang, C. D. Chi, M. Zhou, T. G. You*, Y. Gu*, N. F. Sun*, X. Ou*, 2.1 μm multi-quantum well laser epitaxially grown on on-axis (001) InP/SiO₂/Si substrate fabricated by ion-slicing, Opt. Express 32, 19655 (2024)

3. Y. Wu, X. Hu, B. W. Liu, Y. Gu*, F. X. Zha*, Different spectral features near the energy bandgaps of normal and inverse heterostructures of In_0.52Al_0.48As/InP, Acta Physica Sinica 73, 027801 (2024)

4. X. Hu, F. X. Zha*, J. Zhan, B. W. Liu, Y. Gu*, J. Shao, The interfacial features in photoluminescence of In_0.52Al_0.48As/InP distinguished with selective excitation, AIP Advances 14, 014008 (2024)

5. Z. J. Jiao, T. Y. Guo, G. Y. Zhou, Y. Gu*, B. W. Liu, Y. Z. Yu, C. L. Yu. Y. J. Ma, T. Li, X. Li, Effects of diffusion barrier layers on the performance of lattice-mismatched metamorphic In_0.83Ga_0.17As photodetectors, Electronics 13, 1339 (2024)

6. B. W. Liu, Y. Gu*, W. G. Huang, S. Y. Deng, S. Y. Wang, Y. J. Ma, H. Z. Wang, H. Huang, Q. Gong, T. Li, X. M. Shao, X. Li, H. M. Gong, Effects of in-situ thermal annealing on metamorphic InGaAs photodetector materials grown by molecular beam epitaxy, Mater. Sci. Semicond. Processing 165, 107656 (2023)

7. Y. Gu*, H. Z. Wang, B. Yang, D. D. Tian, L. Y. Yang, T. Li*, X. M. Shao, D. F. Liu, X. Li, H. M. Gong*, J. X. Fang, Relationship between epi-wafer photoluminescence and focal plane array performances of InGaAs detectors, Mater. Sci. Semicond. Processing 157, 107329 (2023)

8. Z. J. Jiao, Y. Gu*, Y. G. Zhang, A. D. Hu, Q. Gong, S. M. Wang, T. Li, X. Li, “Effect of ridge width on the lasing characteristics of triangular and rectangular InAs/In_0.53Ga_0.47As quantum well lasers”, Frontiers in Materials 9, 833777 (2022)

9. W. G. Huang, Y. Gu*, Y. H. Jin, B. W. Liu, Q. Gong, H. Huang, S. M. Wang, Y. J. Ma, Y. G. Zhang, “InAs quantum wells grown on GaP/Si substrate with Ga(In,As)P metamorphic buffers”, J. Infrared Millim. Waves 41, 216 (2022)

10. H. Z. Wang, Y. Gu*, C. L. Yu, S. L. Zhu, Y. C. Zhu, P. P. Chen, J. S. Cao, B. Yang, T. Li, X. M. Shao, X. Li, H. G. Gong*, Direct correlation of defects and dark currents of InGaAs/InP photodetectors, Mater. Sci. Semicond. Processing, 123, 105540 (2021)

七、培养学生情况

截至2024年7月，在读硕士生3人。

已毕业博士生9人，已毕业硕士生4人（含作为二导和联合培养）。就业率：100%.

主要就业去向：高科技企业、科研院所、高校等