胡淑红 研究员

　　一、基本信息 

　　姓    名：胡淑红                    

　　性    别：女                           

　　籍    贯：甘肃                  

　　出生年月：1973年1月                      

　　毕业院校：浙江大学                                                     

　　学历学位：研究生/博士                     

　　技术职务：研究员                  

　　导师类别：博导                   

　　工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 物理室 

　　联系电话：021-25051870                  

　　电子邮箱：hush@mail.sitp.ac.cn                             　　  

　　二、工作简历 

　　2001.7至今，中国科学院上海技术物理研究所。 

　　2010.7-2011.8  英国兰卡斯特大学访问学者。 　　  

　　三、科研工作简介 

　　主要开展III-V族光电器件材料液相外延生长及室温中波红外探测器、热光伏电池等领域的研究。作为项目负责人承担863项目1项、国家自然基金面上项目2项，上海市及地方项目3项。作为第一作者或通讯作者，在Applied Physics Letter和Applied Surface Science等期刊上发表多篇SCI论文。授权专利11项（其中第1发明人4项，第2发明人7项）。 　　  

　　四、主要获奖成果 

　　上海市自然科学二等奖1项（排名第3） 　　  

　　五、代表性论文专利 

　　1. Hongyu Lin, Ziji Zhou, Hao Xie, Yongfei Duan, Xin Chen,Jiaming Hao*,SHuhong Hu*,Ning Dai*, High Performance Room Temperature Extended wavelength InAs MWIR Photodetector, Phys. Status Solidi A, 2021, 210028. 

　　2. Hao Xie, Lingyu Hong, Qianqian Xu, Hongbo Lu, Yan Sun, Shuhong Hu, Ning Dai. “Investigation of surface morphology of InAs1-x-ySbxPy epilayer grown by liquid phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 534(2020)125464. 

　　3. Hao Xie, Lingyu Hong, Yang Wang, Hongbo Lu, Yan Sun,Jiaoming Hao, Shuhong Hu, and Ning Dai. “Liquid phase epitaxy growth and photoluminescence of InAs1-x-ySbxPy epilayer”. Materials Research Express. 6(2019)085912. 

　　4. 林虹宇，谢浩，王洋，陆宏波，孙艳，胡淑红*，戴宁*。“基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真研究”。光学学报，V39, N5 (2019)0504002(7Pages) 

　　5. Yang Wang, Shuhong Hu*,Hao Xie, Hongyu Lin, Hongbo Lu, Chao Wang, Yan Sun, Ning Dai*. “Photoluminescence investigation of type-II GaSb/GaAs quantum dots”. Infrared Physics &Technology 91(2018)68-71. 

　　6. Yang Wang, Shuhong Hu*,Hao Xie, Yan Sun, Ning Dai*. “Phonon replicas of type-II GaSb/GaAs quantum dot structure grown by liquid phase epitaxy”.Applied Physics A. 124(2018) 700-705. 

　　7. Yang Wang, Shuhong Hu*,Wei Zhou, Yan Sun, Bin Zhang, Chao Wang, Ning Dai*. “LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer”. Journal of Crystal Growth 463(2017)123-127. 

　　8. Feng Qiu, Weiyang Qiu, Yulian Li, Xingjun Wang, Yun Zhang, Xiaohao Zhou, Yingfei Lv, Yan Sun, Huiyong Deng, shuhong Hu*, Ning Dai*, Chong Wang, Yu Yang, Qiandong Zhuang, Manus Hayne and A. Krier. “An investigation of exaction behavior in type-II self-assembled GaSb/GaAs quantum dots” Nanotechnology, 27(2016)065602(6pp) 

　　9. Y. F. Lv, S. H. Hu*,Y. G. Xu, Y. Zhang, Y. Wang, R. Wang, G. L. Yu, N. Dai. “The complete absorption spectra of InAs0.87Sb0.13 films grown by liquid phase epitaxy” APPLIED SURFACE SCIENCE  Vol 347, AUG 30, (2015) 286-290,.  

　　10. Kenan Zhang,Shuhong Hu, Yun Zhang, Tianning Zhang, Xiaohao Zhou, Yan Sun,  

　　Tian-xin Li, Hong Jin Fan, Guozhen Shen, Xin Chen* and Ning Dai* “Self-Induced  

　　Uniaxial Strain in MoS2 Monolayers with Local van der Waals-Stacked Inerlayer  

　　Interactions”. Acs Nano, Vol.9, No. 3 (2015) 2704-2710. 　　  

　　六、培养学生情况 

　　截止2022年7月，在读博士生1人、硕士生2人，已毕业博士生7人（含作为二导）。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。