陈平平 研究员

一、基本信息

姓    名：陈平平                  

性    别：男                         

籍    贯：浙江玉环                

出生年月：1970年9月                  

毕业院校：南京大学

学历学位：研究生/博士                    

技术职务：研究员                 

导师类别：博导                 

工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 物理室             

联系电话：021-25051863               

电子邮箱：ppchen@mail.sitp.ac.cn                           

二、工作简历

2004.01至今，中国科学院上海技术物理研究所。

1999.03～2001.05，中国科学院上海技术物理研究所，博士后。

2001.06～2003.12，日本 东北大学金属材料研究所，博士后。

2010.09～2011.08，澳大利亚国立大学，访问学者。

三、科研工作简介

1. 利用分子束外延(MBE)技术，成功生长高质量的GaAs/AlGaAs，InGaAs/GaAs 量子阱红外(THZ)探测材料，合作研制的长波（以及甚长波）红外探测器（QWIP）焦平面器件性能优良，能够满足国家重要项目要求。研制成功基于光耦合增强的高性能量子阱红外(以及THZ)探测器。

2. 基于固态P源分子束外延生长技术，生长高质量InGaAs/InP 雪崩光电二极管(APD)材料，合作开展相关APD单光子探测器和机理研究。

3. 利用MBE技术，成功生长高质量的GaAs，InAs，InGaAs,InAsSb等纳米线及异质结，并深入揭示其生长机理。研制成功超高灵敏的InAs 纳米线红外探测器。实现半导体纳米线的可控生长。

利用 MBE技术，生长高质量的HgTe，Cd3As2 基拓扑量子材料，深入其特殊磁输运机制，并利用原位ARPES揭示不同厚度，不同应力条件下５HgTe，Cd3As2材料能带的演化规律。

四、主要获奖成果

１. 热电子非局域能量耗散纳米成像，中国激光杂志社；“2018中国光学十大进展（基础研究类）”，2019 （第五）

２. 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法（专利号ZL200510110630.5），国家知识产权局；“中国专利优秀奖”，2012 （第七）

五、代表性论文专利

1. Ultrasensitive Mid-wavelength Infrared Photodetection Based on a Single InAs Nanowire ACS Nano 13，3492（2019）（通讯作者）

2. Ultralow Threshold, Single-Mode InGaAs/GaAs Multiquantum Disk Nanowire Lasers ACS nano 15,9125 (2021) (通讯作者)

3. Thickness-Controlled Three-Dimensional Dirac Semimetal for Scalable High-Performance Terahertz Optoelectronics ACS Photonics 8, 1689 (2021) (通讯作者)

4. High-responsivity and polarization-discriminating Terahertz photodetectorbased on plasmonic resonance. Applied Physics Letters, 114,9. (2019) （通讯作者）

5. Bismuth-induced phase control of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy, Applied Physics Letters,. 105,16 (2014) (通讯作者)

6) Imaging of nonlocal hot-electron energy dissipation via shot noise, Science. 360, 6390,. 775-778, (2018). （第五）

六、培养学生情况

截止2021年7月，在读博士生2人，在读硕士生3人。已毕业博士生10人，已毕业硕士生5人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。