一、基本信息
姓 名:李淘
性 别:男
籍 贯:湖北武汉
出生年月:1982年9月
毕业院校:中国科学院研究生院
学历学位:研究生/博士
技术职务:研究员
导师类别:博导
工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 组件技术室
联系电话:021-25051448
电子邮箱:litao@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2010.07至今 中国科学院上海技术物理研究所。
期间:2015.04~2015.07,University of Illinois at Chicago, Department of Physics, Visiting Research Associate Professor.
三、科研工作简介
近年来一直在新型短波红外InGaAs焦平面探测器方面从事基础及应用基础研究,内容涉及器件物理、器件研制、性能测试与成像等方面。主要研究方向包括数字化短波红外InGaAs探测器、集成偏振微结构的InGaAs探测器、近红外II区生物医学荧光成像用InGaAs探测器和智能化InGaAs探测器等。主持国家自然科学基金青年基金、中科院联合基金等多个科研项目,参与多个航天工程项目。
四、主要获奖成果
某部委技术发明二等奖1项(2022年)
五、代表性论文专利
论文:
(1)Jiasheng Cao, Tao Li, Haimei Gong, et al. Lightly doped In0.53Ga0.47As/InP SWIR photodetectors with diffusion barrier structure[J]. Infrared Phys Technol, 2024, 137: 105112.
(2)Yi Gu∗; Hongzhen Wang; Bo Yang; Dongdong Tian; Liyi Yang; Tao Li∗; Xiumei Shao; Dafu Liu; Xue Li; Haimei Gong∗; Jiaxiong Fang ; Relationship between epi-wafer photoluminescence and focal plane array performances of InGaAs detectors, Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 157: 107329.
(3)Bo Feng, Yifang Chen∗, Duo Sun, Zongyao Yang, Bo Yang, Xue Li, Tao Li∗, Precision integration of grating-based polarizers onto focal plane arrays of near-infrared photovoltaic detectors for enhanced contrast polarimetric imaging, International Journal of Extreme Manufacturing, 2021, 3: 035201. (IF 21.3)
(4)曹嘉晟; 李淘∗; 王红真; 于春蕾; 杨波; 马英杰; 邵秀梅; 李雪; 龚海梅∗; 非故意掺杂吸收层InP/InGaAs异质结探测器研究, 红外与激光工程, 2021, 50(11)
(5)Duo Sun, Tao Li, Bo Yang, Xiumei Shao, Xue Li*, Yifang Chen, Research on polarization performance of InGaAs focal plane array integrated with superpixel-structured subwavelength grating, Optics Express, 2019, 27(7): 9447-9458.
(6)Rui Wang, Tao Li, Xiumei Shao, Xue Li, Xiaqi Huang, Jinhai Shao, Yifang Chen*, Haimei Gong*, Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS Applied Materials &Interfaces, 2015, 7(26): 14471-14476. (IF 8.2)
(7)Rui Wang, Tao Li, Xiumei Shao, Xue Li, Haimei Gong*, The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP Advances, 2015, 5: 077128.
授权专利:
(1)李平, 李淘, 李雪, 邵秀梅, 唐恒敬, 龚海梅, 一种铟镓砷短波红外探测器, 2017-05-03, 中国, ZL201610407146.7.
(2)王瑞, 李淘, 邵秀梅, 曹高奇, 李雪, 龚海梅, 一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片, 2017-08-25, 中国, ZL201510295974.
六、培养学生情况
截止2025年7月,已毕业博士生2人,已毕业硕士生1人。就业率:100%。
主要就业去向:国企、上市公司