一、基本信息
姓 名:王兴军
性 别:男
籍 贯:山东
出生年月:1972年4月
毕业院校:复旦大学
学历学位:研究生/博士
技术职务:研究员
导师类别:博导
工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 物理室
联系电话:021-25051879
电子邮箱:xjwang@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2000.08~2003.12,复旦大学物理系。
2004.03~2005.12,日本东北大金属研究所, 非常任讲师。
2006.01~2010.03,瑞典林雪平大学, 博士后。
2010.3至今, 中国科学院上海技术物理研究所。
三、科研工作简介
主要工作是利用磁-光光谱和超快光谱研究低维半导体材料的物性、缺陷以及载流子动力学特性。研究方向包括:
1. 利用在光探测磁共振技术发现非磁性材料 GaAsN中引入的缺陷态可以作为室温下的自旋过滤器;
2. 利用时间分辨发光技术获得了GaAsSb材料中载流子在不同局域态之间的载流子转移速率;
3. 利用微区光致发光和共振拉曼技术获得了Bi 诱导的GaAs纳米线的能带结构。
至今在Nature Materials,Nature Communications,P.N.A.S,Nano Lett,ACS Nano,Phys. Rev. B等SCI杂志上发表文章70余篇。
四、代表性论文专利
1. Yuanyuan Chu, Yuxiang Sang, Yingmei Liu, Zhicheng Xu, Jianxin Chen, Fang Liu, Shengjuan Li and Xingjun Wang*. Reduced thermal conductivity of epitaxial GaAsSb on InP due to lattice mismatch induced biaxial strain. Journal of Applied Physics. 2021(In Press)
2. Zhang Bin,Huang, Yuqing; Stehr, Jan Eric; Chen, Ping-Ping; Wang, Xing-Jun*; Lu, Wei; Chen, Weimin M.; Irina, Buyanova; Band Structure of Wurtzite GaBiAs Nanowires, Nano Letters, 2019, 19, 6454
3. B. Zhang, W. Qiu, S. Chen, P. Chen, W. M. Chen, I. A. Buyanova, and X. Wang*, Effect of exciton transfer on recombination dynamics in vertically nonuniform GaAsSb epilayers, Applied Physics Letters, 2019,114, 252101
4. Qiu, Weiyang, Wang, Xingjun*, Chen, Pingping, Li, Ning, Lu, Wei; Optical spin polarization and Hanle effect in GaAsSb: Temperature dependence, Applied Physics Letters, 2014, 105(8): 082104
5. X. J. Wang, I. A. Buyanova, W. M. Chen*; Sub-millisecond dynamic nuclear spin hyperpolarization in a semiconductor: A case study from Pin antisite in InP, Physical Review B, 2012, 86(20): 205202.
6. X. J. Wang,I. A. Buyanova, F. Zhao, D. Lagarde, A. Balocchi, X. Marie,C. W. Tu,J. C. Harm, W. M. Chen*; Room-temperature defect-engineered spin filter based on a non-magnetic semiconductor, Nature Materials, 2009, 8(3):198-202
7. 王兴军 张斌 邱维阳 朱思新 专利:一种简单有效地抑制荧光干扰的光调制反射光谱检测系统(ZL 2017 1 0411167.0)授权公告日:2020年 04 月 07 日
五、培养学生情况
截止2021年7月,在读硕士生3人。已毕业博士生4人,已毕业硕士生5人。就业率:100%。主要就业去向:科研院所、高校、高科技企业、博士后等。