叶振华 研究员

一、基本信息

姓    名：叶振华                  

性    别：男                         

籍    贯：江西                

出生年月：1977年7月                    

毕业院校：中国科学院研究生院                                                    

学历学位：研究生/博士                   

技术职务：研究员                 

导师类别：博导                 

工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心               

电子邮箱：zhye@mail.sitp.ac.cn                            

二、工作简历

2005.7至今，中国科学院上海技术物理研究所。

三、科研工作简介

主持国家XXX工程、核高基重大专项、型谱、重点部署等项目。一直从事红外光电探测器件的研究，主持研制的大面阵红外探测器成功应用于重大航天工程。解决了航天高精度红外成像探测和高光谱成像探测的核心器件“卡脖子”难题。

以第一、通讯作者发表SCI论文50余篇。以第一发明人获得授权发明专利18项。在《Infr. Phys. and Tech.》上发表评论文章“A review on plasma-etch-process induced damage of HgCdTe”。

四、主要获奖成果

上海市科技进步一等奖

中科院杰出科技成就奖

五、代表性论文专利

1. Wei-ting Zhang; Xing Chen; Zhen-hua Ye*, A study on the surface correction of large format infrared detectors, SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 35(12). 

2. YANTAO LI; WEIDA HU*; ZHENHUA YE*; YIYU CHEN; XIAOSHUANG CHEN; WEI LU*, Direct mapping and characterization of dry etch damage-induced PN junction for long-wavelength HgCdTe infrared detector arrays, OPTICS LETTERS, 2017, 42(7): 1325-1328.

3. Yiyu Chen; Zhenhua Ye*; Peng Zhang; Xiaoning Hu; Ruijun Ding; Li He, A barrier structure optimization for widening processing window in dual-band HgCdTe IRFPAs detectors, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2016, 48(5). 

4. Z.H.Ye*; P.Zhang; Y. Li; Y.Y.Chen; S.M.Zhou; C.H.Sun; Y.Huang; C.Lin; X.N.Hu; R.J.Ding; L.He, Photon trapping photodiode design in HgCdTe mid-wavelength infrared focal plane array detector, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2014, 46(10): 1385-1390.

5. Z.H. YE*; W.D. HU*; W. LEI; Y.Li; L. YANG; P. ZHANG; Y. HUANG; C. LIN; C.H. SUN; X.N. HU; R.J. DING; X.S. CHEN; W. LU; L. HE, Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2013, 42(11): 3164-3167. 

6. Z.H.Ye*; P.Zhang; Y.Li; Y.Y.Chen; S.M.Zhou; Y.Huang; C.H.Sun; C.Lin; X.N.Hu; R.J.Ding; L.He, Design of spectral crosstalk suppressing structure in two-color HgCdTe infrared focal plane arrays detector, OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2013, 46(10): 1283-1289. 

7. YE Zhen-Hua*; YIN Wen-Ting; HUANG Jian; HU Wei-Da; FENG Jing-Wen; CHEN Lu; LIAO Qin-Jun; LIN Chun; HU Xiao-Ning; DING Rui-Jun; HE Li, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 31(1).

8. Ye Zhen Hua*; Yin Wen Ting; Huang Jian; Hu Wei Da; Feng Jing Wen; Chen Lu; Liao Qin Jun; Lin Chun; Hu Xiao Ning; Ding Rui Jun; He Li, HgCdTe long-wavelength photodiode arrays modified with high-density hydrogen plasma, Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2012, 31(1): 26. 

9. YE Zhen-hua*; LI Yang; HU Wei-da; CHEN Lu; LIAO Qin-jun; CHEN HongLei; LIN Chun; HU Xiao-ning; DING Rui-Jun; HE Li, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, J. Infrared Millim. Waves, 2012, 31(6): 497-500. 

10. YE Zhen-Hua*; LI Yang; HU Wei-Da; CHEN Lu; LIAO Qin-Jun; CHEN Hong-Lei; LIN Chun; HU Xiao-Ning; DING Rui-Jun; HE Li, Simultaneous mode MW/LW two color HgCdTe infrared detector, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 31(6): 497-500. 

11. 一种基于超表面的红外彩色探测器，2020，专利号: CN202010965538.1，第 1 发明人。

12. 一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法，2019，专利号: CN201911093625.6，第 1 发明人。

13. 一种基于超表面的红外伪彩色探测器，2019，专利号: CN201911093692.8，第 1 发明人。

一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法，2019，专利号: CN201910850249.4，第 1 发明人。

14. 一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构，2019，专利号: CN201910618838.X，第 1 发明人。

15. 一种碲镉汞红外焦平面探测器响应光谱的计算方法，2019，专利号: CN201910411828.9，第 1 发明人。

六、培养学生情况

截止2021年7月，在读博士生3人，在读硕士生1人。已毕业博士生7人，已毕业硕士生3人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。