一、基本信息
姓 名：邵秀梅
性 别：女
籍 贯：湖北
出生年月：1978年10月
毕业院校：中国科学院研究生院
学历学位：研究生/博士
技术职务：研究员
导师类别：博导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 红外探测全国重点实验室
联系电话：021-25051471
电子邮箱：shaoxm@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2003年7月至今，中国科学院上海技术物理研究所。
三、学术兼职
中国光学学会理事
中国光学学会红外与光电器件专业委员会委员、秘书长
上海市传感技术学会副理事长
《光学与光电技术》期刊编委
四、科研工作简介
2003年加入中国科学院上海技术物理研究所，近年来主要从事高性能短波红外铟镓砷焦平面探测器相关工作，在高灵敏度双波段近红外铟镓砷焦平面、高光谱用延伸波长铟镓砷焦平面、可见-短波红外宽谱段铟镓砷焦平面、超大规模数字化铟镓砷焦平面等方面开展研究，负责或参与研制的十余款短波红外铟镓砷焦平面成功实现航天应用，参与发表学术论文80余篇、授权发明专利20余、编制国家军用标准2项，参与《智能传感器导论》、《传感器技术》等专著编写。
五、主要获奖成果
1、宽谱段红外探测芯片技术，专项技术发明二等奖，2022年，排序3；
2、空间用铟镓砷焦平面关键技术，中国光学学会技术发明一等奖，2025年，排序2；
3、红外探测器数字化计量测试技术质量攻关，上海市质量攻关奖，2025年，排序2
五、代表性论文专利
1、Enhanced performance of extended wavelength InxGa1-xAs focal plane arrays via compositional overshooting of InxAl1-xAs buffer layer，IEEE Journal of Quantum Electronics，2025年，通讯作者；
2、高密度平面型InGaAs焦平面像元耦合作用数学模型，红外与毫米波学报，2025年，通讯作者；
3、Improved performance of planar In0.75Ga0.25As/InP photodetector through post-diffusion rapid thermal treatment ，Journal of Luminescence，2025年，通讯作者；
4、Design and Fabrication of Broadband InGaAs Detectors Integrated with Nanostructures，Sensors，2023年，通讯作者；
5、Design and Fabrication of InGaAs FPAs integrated with InP Mie resonators，IEEE Photonics Technology Letters，2022年， 通讯作者；
6、320×256 Extended Wavelength InxGa1-xAs/InP Focal Plane Arrays: Dislocation Defect, Dark Signal and Noise，IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics ，2022年，通讯作者；
7、Interfacial properties between Al2O3 and In0.74Al0.26As epitaxial layer on MIS capacitors，红外与毫米波学报，2022年，通讯作者；
8、截止波长2.2μm的平面型延伸波长InGaAs 探测器，红外与毫米波学报，2022年，通讯作者；
9、邵秀梅，李雪，程吉凤等，一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法，202310027644.9，授权日期2025.7.18
10、邵秀梅，于春蕾，朱宪亮等，一种微台面隔离的高密度铟镓砷探测器阵列和制备方法，202610840826.1，申请日期2026.6.11
六、培养学生情况
截止2026年7月，在读博士生3人，在读硕士生3人。
已毕业博士生5人，已毕业硕士生1人。就业率：100%.
主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业。
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研究生教育
