一、基本信息
姓 名:乔辉
性 别:男
籍 贯:山东莱阳
出生年月:1979年11月
毕业院校:中国科学院研究生院
学历学位:研究生/博士
技术职务:研究员
导师类别:博导
工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 红外器件室
电子邮箱:qiaohui@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2002.7至今,中国科学院上海技术物理研究所。
三、科研工作简介
主要从事半导体红外光电子材料与器件的制备及测试技术研究,曾从事的研究工作包括焦平面杜瓦的高气密性激光焊接技术、铟镓砷焦平面探测器的制备工艺、碲镉汞材料和器件的高能粒子辐照效应、碲镉汞材料的干法刻蚀效应等。
参与完成了嫦娥五号、海洋、风云等多种卫星载荷中航天探测器的研制。
四、代表性论文专利
1. Electrical characteristics of mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors exposed to gamma irradiation,Journal of Electronic Materials,Vol.45,No.9,2016,4640
2. Dynamic gamma irradiation effects of mid-wavelength HgCdTe photovoltaic detectors,红外与毫米波学报,2016
3. 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究,红外与激光工程,2016
4. Electrical properties of HgCdTe by different etching techniques,infrared physics and technology, 2015
5. Development of optically immersed,near-room-temperature HgCdTe photovoltaic detectors, SPIE, 2015
五、培养学生情况
截止2021年7月,已毕业博士生1人、硕士生4人(含作为二导)。就业率:100%。主要就业去向:科研院所、高校、高科技企业等。