一、基本信息
姓 名:邓惠勇
性 别:男
籍 贯:湖北武汉
出生年月:1977年11月
毕业院校:中国科学院研究生院
学历学位:研究生/博士
技术职务:研究员
导师类别:博导
工作部门:中国科学院上海技术物理研究所 物理室
联系电话:021-25051881
电子邮箱:hydeng@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
2006.07至今,中科院上海技术物理研究所。
(其中:2010.03~2011.02,美国Florida州立大学,访问学者)
三、科研工作简介
长期从事红外成像探测材料与器件的研究。主持承担了**基础加强计划课题、重点研究计划、国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金、上海市自然科学基金和中科院前沿创新项目;参加了国家重大科学研究计划、国家基金委重大(学术秘书)、重点和中科院前沿重点等项目。以第一或通讯作者在PRB、APL等期刊发表SCI论文20余篇,论文数据被Springer出版的Landolt-Bornstein手册收录为基本光学参数。以第一发明人授权国家发明专利6项。受邀作国际学术邀请报告2次,国内邀请4次(包含第284期东方科技论坛)。
四、代表性论文专利
[1] Yufeng Shan, Ziwei Yin, Jiaqi Zhu, Xin Li, Wei Dou, Yue Wang, Chixian Liu, Huiyong Deng*, and Ning Dai. Few-layered MoS2 based vertical van der Waals p-n homojunction by highly-efficient N2 plasma implantation. Advanced Electronic Materials, https://doi.org/10.1002/aelm.202200299
[2] Wei Dou, Ziwei Yin, Yi Zhang, Huiyong Deng*, and Ning Dai. Two-dimensional perovskite (PEA)2PbI4 two-color blue-green photodetector. Nanomaterials, 12: 2556 (2022).
[3] Yufeng Shan, Ziwei Yin, Yi Zhang, Changyi Pan, Huiyong Deng*, and Ning Dai. Ultrafast and highly sensitive dual-channel FET photodetector based on two-dimensional MoS2 homojunction. ACS Applied Materials & Interfaces 13(45): 54194-54203 (2021).
[4] Yi Zhang, Dezhi Feng, Yi Xu, Ziwei Yin, Wei Dou, UM E Habiba, Changyi Pan, Zongkun Zhang, Hao Mou, Huiyong Deng*, Xianqiang Mi, and Ning Dai. DNA-based functionalization of two-dimensional MoS2 FET biosensor for ultrasensitive detection of PSA. Applied Surface Science 548:149169 (2021).
[5] Changyi Pan, Ziwei Yin, Zhiyong Song, Yao Yao, Yi Zhang, Jiaming Hao, Tingting Kang, Huiyong Deng*, Huizhen Wu, and Ning Dai. Dark current blocking mechanism in BIB far-infrared detectors by interfacial barriers. IEEE Transactions on Electron Devices 68(6): 2804-2809 (2021).
[6] 邓惠勇,潘昌翊,殷子薇,谢经辉,张祎,李世民,王超,戴宁. 一种GaAs基LFET太赫兹红外光探测器和制备方法。(专利号:ZL201810090440.9)
[7] 邓惠勇,郭建华,刘雨从,胡古今,戴宁. 一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法。(专利号:ZL201410121076.X)
[8] 邓惠勇, 刘雨从, 黄勇, 郭建华, 胡古今, 戴宁. 一种制备InAs0.2Sb0.8量子点的方法。(专利号:ZL201410121105.2)
[9] 邓惠勇,郭建华,邱锋,张云,胡古今,俞国林,戴宁. 一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法。(专利号:ZL201310148741.X)
[10] 邓惠勇,郭建华,邱锋,孙艳,刘从峰,俞国林,戴宁. 一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法。(专利号:ZL201310043657.1)
五、培养学生情况
截止2022年7月,在读博士生2人,已毕业博士生6人(含作为二导)。就业率:100%。主要就业去向:科研院所、高校、高科技企业等。