魏彦锋 研究员

一、基本信息

姓    名：魏彦锋                  

性    别：男                         

籍    贯：河北                

出生年月：1971年3月                    

毕业院校：复旦大学                                               

学历学位：研究生/博士                   

技术职务：研究员                 

导师类别：博导                 

工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心

联系电话：021-25051947               

电子邮箱：yfwei@mail.sitp.ac.cn                           

二、工作简历

2001.7至今，中国科学院上海技术物理研究所。

1999.7～2001.6，中国科学院上海技术物理研究所，博士后。

2009.2～2009.5，美国伊利诺伊大学芝加哥分校，高级访问学者。

三、科研工作简介

研究方向为红外半导体材料与红外探测器技术。包括高性能红外材料的外延生长以及性能表征，长波以及甚长波红外焦平面技术，高灵敏度短波红外焦平面技术。承担了国家自然科学基金、总装光电子预研、航天工程等多项科研任务。在相关学术领域发表学术论文40余篇。

四、主要获奖成果

上海科技进步一等奖 (2013年)

中科院杰出科技成就奖 （研究集体,2013年）

国家科学技术进步二等奖 (2015年)

五、代表性论文专利

1. Au掺杂HgCdTe材料的光电特性，红外与激光工程，2021,50(4):20200231.

2. 液相外延生长过程中外延层厚度的卷积计算方法，红外与毫米波学报，2021,40(2),161-165.

3. Effect of lattice mismatch on HgCdTe LPE film surface morphology[J],Journal of Electronic Materials, 2016, 45(9): 4674-4679.

4. Characteristics of Au migration and concentration distributions in Au-doped HgCdTe LPE materials[J], Journal of Electronic Materials, 2015, 44(8): 2773-2778.

5. HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响，红外与毫米波学报，2013（3），225-230

6. 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法，发明专利(ZL 20111035531202), 仇光寅、魏彦锋、陈倩男、孙权志、孙瑞赟

7. 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，发明专利(ZL2014100209445), 杨建荣、魏彦锋、孙瑞贇、孙权志

8. 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法，发明专利(ZL 2014100209515), 杨建荣、魏彦锋、孙瑞贇、孙权志

六、培养学生情况

截止2021年7月，在读博士生2人，在读硕士生4人。已毕业博士生2人，已毕业硕士生4人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。