一、基本信息
姓 名：陈建新
性 别：男
籍 贯：浙江
出生年月：1968年6月
毕业院校：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学历学位：研究生/博士
技术职务：研究员
导师类别：博导
工作部门：中国科学院上海技术物理研究所 材器中心
联系电话：021-25051006
电子邮箱：jianxinchen@mail.sitp.ac.cn
二、工作简历
1995年至2000年在中科院上海微系统与信息技术研究所从事分子束外延半导体光电材料与器件研究，期间多次到瑞典Ericsson 公司和德国Paul-Drude 固态电子研究所开展合作研究；
2000至2001年在瑞士联邦工学院（EPFL）工作；
2001至2007年在美国新泽西贝尔实验室（Bell Labs）工作，任半导体物理研究部研究员（Member of Technical Staff）；
2007年至2009年任普林斯顿大学NSF中红外材料技术中心研究员；
现任中国科学院上海技术物理研究所副所长。
三、科研工作简介
在半导体电子和光电子领域，如量子级联激光器、量子阱激光器、异质结晶体管、高电子迁移率晶体管等方面有长期的研究积累。目前主要从事InAs/GaSb II类超晶格红外探测器及新型红外光电器件研究，包括材料与器件结构设计、外延生长、器件制备及性能表征。在国际期刊发表论文60余篇，引用600多次。
四、主要获奖成果
国家科技进步三等奖一项。
中国科学院和上海市科技进步奖多项。
五、代表性论文专利
1. Wang Liang; Xu Zhicheng*; Xu Jiajia; Dong Feng; Wang Fangfang; Bai Zhizhong; Zhou Yi; Chai Xuliang; Li Hui; Ding Ruijun; Chen jianxin*; He Li; Fabrication and Characterization of InAs/GaSb type-II Superlattice Long-Wavelength Infrared Detectors Aiming High Temperature Sensitivity, JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, 2020, 38(21): 6129-6134.(期刊论文)
2. Huang Min; Chen Jianxin*; Zhou yi; Xu Zhicheng; He Li; Light-harvesting for high quantum efficiency in InAs-based InAs/GaAsSb type-II superlattices long wavelength infrared photodetectors, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 114(14). (期刊论文)
3. Wang Fangfang; Chen Jianxin*; Xu Zhicheng; Zhou Yi; He Li; Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection, Optics Express, 2017, 25(3): 1629-1635.(期刊论文)
4. Yi Zhou; Chen Jianxin*; Zhicheng Xu; Li He; High quantum efficiency mid-wavelength interband cascade infrared photodetectors with one and two stages , SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , 2016, 31(8).(期刊论文)
5. Chen Jianxin*; Xu Qingqing; Zhou Yi; Jin Jupeng; Lin Chun; He Li; Growth and fabrication of InAs/GaSb type II superlattice mid-wavelength infrared photodetectors, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2011, 6.(期刊论文)
六、培养学生情况
截止2021年7月，在读博士生3人，在读硕士生3人。已毕业博士生11人，已毕业硕士生4人。就业率：100%。主要就业去向：科研院所、高校、高科技企业等。
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