2009年12月15日胡伟达博士在所学术沙龙讲述了他在西澳大学担任访问学者期间，开展的“栅控MIS结构碲镉汞红外探测器”暗电流和CV研究工作，本次沙龙由物理室陈效双研究员主持。胡伟达博士详细介绍了当前碲镉汞红外探测器性能存在的主要问题。指出作为窄禁带半导体器件的碲镉汞红外探测器“表面态”一直是制约器件性能提高关键物理问题，表面态可以引起暗电流增大，响应率减小等问题。为了研究碲镉汞红外探测器的表面态，西澳大学设计了栅控MIS结构碲镉汞红外探测器和MIS结构电容器。针对栅控MIS结构n+-on-p碲镉汞红外探测器，胡伟达博士讲述了不同栅压下，器件钝化层/碲镉汞界面处受表面电场的影响能带弯曲情况，以及表面少子和多子的积累、耗尽和反型的物理过程，并指出了不同表面态对器件的暗电流可能产生的影响。针对MIS结构碲镉汞电容器，胡伟达博士讲述了MIS结构CV方法可以提取的关键“表面态”参数，如表面束缚电荷、表面快（慢）陷阱浓度、少子寿命以及表面复合中心等。并指出目前我们已经建立并掌握了MIS结构CV的理论计算方法，下一步将在我所进行相关实验和理论研究。在沙龙讨论期间，陈效双研究员就胡伟达博士提出的栅控结构碲镉汞红外探测器还向大家讲述了“新型浮栅碲镉汞红外探测器”的国际最新研究动态，引起了大家的极大兴趣。