2009年7月3日下午，在光电大楼二楼举行了第112期学术沙龙。硅器件研究室程正喜介绍薄膜转移技术，沙龙特邀匡定波院士，杨建荣、汤心溢研究员参加。

非制冷焦平面本质上是一种“热”探测器，利用敏感元的“辐射热效应”进行红外探测，其中微测辐射热计非制冷焦平面是发展的主流。

微测辐射热计非制冷焦平面一般包含微桥结构和CMOS读出电路两部分，微桥结构的桥面中包含热敏薄膜材料，起敏感作用，细长的桥腿将微桥支撑在CMOS读出电路上方，起绝热作用，同时将信号引入读出电路中。

一般来讲，有两种主要的非制冷焦平面制备方法。一是在CMOS电路上采用牺牲层工艺直接制备微桥，二是采用混成方式，利用薄膜转移技术将微桥结构转移到读出电路上。方法一的局限性在于热敏薄膜和微桥结构的工艺和CMOS的工艺不完全兼容，常常需要二者的工艺条件相互妥协，牺牲了器件性能。

采用薄膜转移技术，首先在两个衬底上分别制备CMOS电路和微桥阵列，然后将二者倒装互连，最后去除微桥阵列的衬底，则可以赋予微桥阵列加工更多的自由度，有利于提高器件的性能。而该技术的关键在于倒装互连后，去除微桥阵列的衬底。一般采用化学机械抛光、湿法腐蚀和干法刻蚀等方法，其难点在于CMOS电路和桥面结构保护，以及工艺终点的监测，缺点是成本高效率低成品率低。

在所三期创新的支持下，开发了一种新的薄膜转移技术，充分发挥了读出电路和微桥电路分别处理的优点，使微桥结构的加工更灵活，可以应用于各类大规模（16K单元）至超大规模（1M单元）及以上规模的混成式非致冷焦平面和类似器件，包括为测辐射热计焦平面、热释电（铁电）薄膜焦平面、红外电阻阵等，可以为本所各研究室研制的各类各种规模的非制冷焦平面，在结构设计方面提供有力的技术支持。

本次沙龙得到了器件部门各研究室同志的支持，活动现场讨论气氛浓烈，大家从各自的领域出发提出了很多新的观点和建议，互有启发，充分体现了沙龙的学术交流作用。